သတင်း

မဂ္ဂနီစီယမ် ဖလိုရိုက်ပုံဆောင်ခဲကို အလင်းပြစနစ်တွင် အသုံးပြုထားပြီး ၎င်း၏ ထုတ်လွှင့်မှုလှိုင်းသည် 0.11 μ m-8.5 μ m ဖြစ်သည်။ ရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုသည် အရောင်စင်တာများ၏ မျိုးဆက်သို့ ဦးတည်မည်မဟုတ်ပါ။စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတုန်ခါမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ကြီးမားသော ပြင်ပစွမ်းအားများသည် မဂ္ဂနီဆီယမ် ဖလိုရိုက်ကို တွယ်ကပ်စေနိုင်သည်။မဂ္ဂနီဆီယမ် ဖလိုရိုက် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ၏ အားနည်းသော birefringence ကြောင့်၊ ပုံမှန် tangential direction သည် wafer မျက်နှာပြင်နှင့် ထောင့်မှန်ကျသော optical axis ဖြစ်သည်။

မဂ္ဂနီဆီယမ် ဖလိုရိုက်သည် အောက်ပါလက္ခဏာများဖြင့် အသုံးများသော ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုဖြစ်သည်။

1. ရိုက်ခတ်မှုနှင့် အပူအတက်အကျများနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

2. ၎င်းကို optical prism မှန်ဘီလူးများ၊ သပ်သပ်ရပ်ရပ်၊ ပြတင်းပေါက်များနှင့် ဆက်စပ်သော optical စနစ်များတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

3. tetragonal birefringent crystal ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို optical ဆက်သွယ်မှုအတွက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

4. ကောင်းသောဓာတုတည်ငြိမ်မှု။

5. pinhole μ m တွင် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်မှ အနီအောက်ရောင်ခြည် (0.11-8.5)) တီးဝိုင်းသည် မြင့်မားသော ထုတ်လွှင့်မှုရှိသည်။မဂ္ဂနီဆီယမ်ဖလိုရိုက်၏ပုံဆောင်ခဲမဂ္ဂနီဆီယမ်ဖလိုရိုက်ကိုအသုံးပြုခြင်းသည် အရောင်မဲ့သောပုံဆောင်ခဲ သို့မဟုတ် အမှုန့်ဖြစ်ပြီး အရေးကြီးသောသဘာဝမဲ့ဓာတုကုန်ကြမ်းဖြစ်သည်။အီလက်ထရောနစ်အလူမီနီယမ်အတွက် ပေါင်းထည့်ခြင်း၊ မဂ္ဂနီဆီယမ်အရည်ကျိုခြင်းအတွက် flux အဖြစ် အသုံးပြုသည့် မဂ္ဂနီဆီယမ်၊ တိုက်တေနီယမ် အလူမီနီယမ်ထုတ်လုပ်မှုတွင် အလူမီနီယမ် ဖလိုရိုက်ကို အရည်ပျော်မှတ်ကို လျှော့ချရန်နှင့် electrolyte ၏ conductivity ပိုမိုကောင်းမွန်စေရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။မဂ္ဂနီဆီယမ် ဖလိုရိုက်သည် အရက်အချဉ်ဖောက်ခြင်းကို ဟန့်တားရာတွင် အသုံးပြုသည့် အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်း နည်းပါးပြီး မြင့်မားသော အလင်းယိုင်ညွှန်းကိန်း ပစ္စည်းများဖြင့် ကျယ်ပြန့်သော ကြိုးဝိုင်းကွက်လပ်ကို ဖွဲ့စည်းနိုင်သည်။၎င်းကို photonic crystals များတွင် မဂ္ဂနီဆီယမ်ဖလိုရိုက်အမှုန့် နှင့် သန့်စင်မြင့် PbF2 အမှုန့်များကို အညီအမျှ ရောစပ်ကာ၊ ကုပ်ကုပ်ကို ဆွဲချကာ Crucible Clamp ကို အောက်ခြေအခြေစိုက်စခန်းပေါ်တွင် တင်ထားကာ အပူပေးကိုယ်ထည်ကို တပ်ဆင်ကာ အောက်ခြေကို ချိန်ညှိပါ crucible

မဂ္ဂနီစီယမ် ဖလိုရိုက်ပုံဆောင်ခဲကို အလင်းပြစနစ်တွင် အသုံးပြုထားပြီး ၎င်း၏ ထုတ်လွှင့်မှုလှိုင်းသည် 0.11 μ m-8.5 μ m ဖြစ်သည်။ ရောင်ခြည်ဖြာထွက်မှုသည် အရောင်စင်တာများ၏ မျိုးဆက်သို့ ဦးတည်မည်မဟုတ်ပါ။စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများရှိပြီး အပူနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာတုန်ခါမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ကြီးမားသော ပြင်ပစွမ်းအားများသည် မဂ္ဂနီဆီယမ် ဖလိုရိုက်ကို တွယ်ကပ်စေနိုင်သည်။မဂ္ဂနီဆီယမ် ဖလိုရိုက် တစ်ခုတည်းသော ပုံဆောင်ခဲ၏ အားနည်းသော birefringence ကြောင့်၊ ပုံမှန် tangential direction သည် wafer မျက်နှာပြင်နှင့် ထောင့်မှန်ကျသော optical axis ဖြစ်သည်။

မဂ္ဂနီဆီယမ် ဖလိုရိုက်သည် အောက်ပါလက္ခဏာများဖြင့် အသုံးများသော ပုံဆောင်ခဲတစ်ခုဖြစ်သည်။

1. ရိုက်ခတ်မှုနှင့် အပူအတက်အကျများနှင့် ဓာတ်ရောင်ခြည်များကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

2. ၎င်းကို optical prism မှန်ဘီလူးများ၊ သပ်သပ်ရပ်ရပ်၊ ပြတင်းပေါက်များနှင့် ဆက်စပ်သော optical စနစ်များတွင် အသုံးပြုနိုင်သည်။

3. tetragonal birefringent crystal ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကို optical ဆက်သွယ်မှုအတွက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

4. ကောင်းသောဓာတုတည်ငြိမ်မှု။

5. pinhole μ m တွင် ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်မှ အနီအောက်ရောင်ခြည် (0.11-8.5)) တီးဝိုင်းသည် မြင့်မားသော ထုတ်လွှင့်မှုရှိသည်။